Особенности построения и применения аппаратов КВЧ-ИК-терапии Спинор
Аппараты серии Спинор разрабатывались с учетом технических решений и результатов предварительных медико-биологических исследований применительно к широкому классу аппаратов и методик в области физио-, рефлексотерапии.
При построении аппарата были проанализированы конструкции аппаратов, разработанных в 80—90-е гг. и результаты их клинического применения, а также данные собственных исследований, полученных методами микробиологии, токсикологии и электроакупунктурной диагностики (ЭД).
Аппарат КВЧ-ИК-терапии Спинор объединил в своей конструкции разработки технических и медицинских специалистов, связанные с излучением на фиксированных частотах КВЧ диапазона 42,2 ГГц (7,1 мм), 53,5 ГГц (5,6 мм), 60,7 ГГц (4,9 мм), в режиме шумовой генерации в диапазоне 42—78 ГГц и ИК диапазоне. Аппарат работает в импульсном режиме, что обеспечило, с одной стороны, хорошие результаты его клинического применения, связанные с реализацией дробного режима воздействия, а также позволило создать малогабаритное устройство с миниатюрными излучателями.
Применение классической КВЧ терапии основано на наличии в КВЧ диапазоне резонансов отдельных систем организма: кровеносной, лимфатической и т. д. Например, исследования спектра резонансных частот гемоглобина крови на установке ядерного магнитного резонанса показали, что на частоте 42,194 ГГц происходит его возбуждение, что увеличивает до трех раз способность эритроцитов крови транспортировать кислород, что приводит к ускорению процессов заживления поврежденных тканей, детоксикации организма. Поэтому, применение данной частоты носит универсальный характер при достаточно широком наборе патологических процессов. Соответственно, наибольшая эффективность применения данной методики достигается при облучении областей и зон обширного кровотока: артерий, вен, крупных суставов.
Проведенные нами исследования выявили особый статус КВЧ-диапазона, который заключается в повышенной чувствительности организма (всего на порядок выше фонового излучения) на частотах КВЧ диапазона, причем, объектом взаимодействия выступают клеточные структуры и их белковые составляющие. Это позволило при специальной конструкции шумового излучателя осуществить методы терапии, связанные с применением сверхслабых излучений КВЧ-диапазона. В настоящее время успешно завершена клиническая апробация шумового излучателя, основанная на реализации основных принципов и построений гомотоксикологии в нашем развитии, а разработанный метод лечения получил название «терапия фоновым резонансным излучением» (ФРИ-терапия), первые излучатели для данной терапии были разработаны и изготовлены на ООО «Спинор» в 1996 году.
Взаимодействие источника внешнего излучения и биологического объекта носит резонансный характер не только по частоте, но и по мощности излучения. При увеличении мощности внешнего излучения от нуля до 10-16— 10-19 Вт/см2 наблюдается резонансный отклик биологического объекта, причем, для относительно слабых процессов (которыми в частности являются патологические процессы по сравнению с процессами, происходящими в здоровой ткани) максимум данной зависимости сдвинут к началу оси ординат. Именно эта особенность позволяет проводить угнетение патологического процесса на фоне незначительного возбуждения здоровой ткани. Влияние электромагнитного излучения низкой интенсивности на биологический объект, позволяет использовать его для физиотерапевтического лечения значительного числа заболеваний человека и животных, для повышения устойчивости биологического объекта к негативным внешним факторам и для адаптации к изменению окружающих условий.
Действие аппарата основано на особенностях полупроводниковых структур на основе соединений А3В5, к которым относятся, например, арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP), и на основе которых разработаны диоды Ганна. Эти особенности выражаются в том, что, во-первых, в этих структурах можно реализовать вольтамперную характеристику с отрицательной дифференциальной проводимостью dl/dU < 0 (напр., М. Е. Левинштейн, Ю. К. Пожела, М. С. Шур. Эффект Ганна. — М., 1975), величина которой превышает величину дифференциальной проводимости р биологического объекта (|dl/dU | > р), и, во-вторых, для этих структур характерно наличие собственных электромагнитных колебаний фонового уровня, характеристики которых определяются дипольно-активными состояниями объема кристалла с дефектами кристаллической структуры и ее границами.
При соблюдении этого условия при наложении на биологический объект (или помещении вблизи) полупроводникового прибора на основе соединений А3В5 и при подаче на него напряжения, превышающего пороговое значение U0, соответствующее на вольтамперной характеристике прибора переходу на участок с отрицательной дифференциальной проводимостью, происходит формирование генераторного контура с включением в него биологического объекта, на котором (или вблизи которого) находится полупроводниковый прибор. При этом спектр генерируемого излучения определяется реактивной составляющей импеданса системы «полупроводниковый прибор — биологический объект» и включает собственные частоты биологических субстанций объекта и патогенного фактора в зоне воздействия и биологического объекта в целом.
Процесс генерации электромагнитного излучения обусловлен образованием электронов с повышенной энергией на катоде полупроводникового прибора на основе соединений А3В5. Энергия «горячего» электрона может в в сотни раз превышать энергию электрона зоны проводимости полупроводника, на который внешнее напряжение не подано. Электроны дрейфуют по объему полупроводника и поглощаются на аноде прибора. При прохождении через полупроводник электронов, обладающих повышенной энергией, а также в условиях возникновения переменного электромагнитного поля, связанного с процессом генерации, возможны изменения дипольно-активных состояний полупроводниковой структуры из-за изменения квантовомеханических состояний ее приграничных областей. Эти изменения определяются электромагнитным полем в образце, которое формируется с участием не только объема полупроводника, но и окружающего пространства, в том числе биологического объекта, входящего в генераторный контур системы «полупроводниковый прибор — биологический объект». Таким образом, происходит формирование устойчивого состояния полупроводниковой структуры с фиксацией электромагнитного излучения биологического объекта.
После отключения полупроводникового прибора от источника питания измененное состояние дипольно-активных компонентов структуры А3В5 сохраняется и характеристики собственного излучения структуры не меняются, они стабильны во времени при условии отсутствия какого-либо внешнего воздействия, обладающего энергией, достаточной для их изменения.
При взаимодействии внешнего электромагнитного поля с дипольно-активными состояниями объема кристалла, происходит образование поляритонов — связанного состояния колебательного движения заряженных частиц (диполей) с электромагнитным полем. Колебательное состояние кристалла полупроводниковой структуры и, следовательно, спектр поляритонов определяется ее внутренним дипольно-активным состоянием. При воздействии на полупроводниковую структуру внешним электромагнитным излучением посредством поляритонного механизма, происходит формирование собственных электромагнитных колебаний фонового уровня полупроводниковой структуры, спектр которых был определен изменением дипольно-активных компонентов структуры А3В5 в режиме генерации и спектром собственных частот биологического объекта, включая патогенный фактор.
В этом случае частотный спектр переотраженного излучения содержит собственные частоты биологических субстанций и биологического объекта в целом. Следовательно, изменения в состоянии полупроводниковой структуры и характеристики ее собственного излучения определяются и спектром собственных частот биологического объекта, и спектром патогенного фактора.
Интенсивность излучения мала: плотность мощности составляет не более 10-20 Вт/см2, поэтому, при контакте полупроводниковой структуры с биологическим объектом, излучение не подавляет биологическую активность здоровых клеток в биологической субстанции, находящихся в состоянии устойчивого равновесия, а подавляет патологические факторы, находящиеся в стадии развития и подверженные слабому внешнему воздействию.
Внешнее воздействие приводит к потере тенденций устойчивого развития патогенных микроорганизмов и патологических процессов и стабилизирует физиологические процессы в субстанциях организма, находящихся в состоянии устойчивого равновесия. Высокая эффективность подавления патогенного фактора обусловлена тем, что частота излучения коррелированна с состоянием биологических субстанций и биологического объекта в момент формирования воздействующего излучения.
Таким образом, наличие в вольт-амперной характеристике полупроводникового прибора, содержащего структуру на основе соединения А3В5, участка с отрицательной дифференциальной проводимостью, величина которой превышает величину дифференциальной проводимости биологического объекта, и отсутствие в устройстве резонатора (как элемента устройства), позволяет под влиянием внешних электромагнитных факторов, сформировать электромагнитное излучение, спектр которого содержит собственные частоты биологических субстанций биологического объекта и собственные частоты патогенных микроорганизмов и патологических процессов.
Данный излучатель позволяет создавать спектральный аналог излучения препаратов, патогенной зоны или точки организма и их комбинаций. После тестирования методом электродиагностики (ЭД) данный аналог может также применяться для лечебного воздействия. В режиме аутотерапии работа излучателя соответствует концепциям МОРА-терапии, с существенным расширением (на 6 порядков) ее частотного диапазона. Частотная граница записи-воспроизведения спектральной характеристики излучения исходного объекта составляет порядка 100 ГГц, что позволяет проводить лечебное воздействие на уровне белковых структур клетки на основных наиболее чувствительных резонансных частотах, лежащих в КВЧ диапазоне.
Таким образом, технические решения, заложенные в аппаратах серии Спинор, позволяют реализовать традиционные классические методики физио-, рефлексотерапии, проводить лечебные сеансы по зонам соответствия СУ-ДЖОК, а также осуществить на практике методы биорезонансной терапии. Широкий арсенал реализуемых методов позволяет, при надлежащей подготовке медицинского персонала, провести высокоэффективное лечение широкого класса заболеваний без применения жестких методов воздействия на организм и практически избежать побочных эффектов.
Конструкция аппарата непрерывно совершенствуется с учетом новых клинических разработок и появлением новой элементной базы. Устройство аппаратов Спинор и ряд технологий его применения защищены патентами РФ и США.
«СЕМ®-технология в медицине»
А. М. Кожемякин, Ю. А. Ткаченко, под общ.ред. д. м. н., проф. Е. Ф. Левицкого
