ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ АППАРАТОВ КВЧ-ИК-ТЕРАПИИ СЕРИИ «СЕМ^®-ТЕСН»

А. М. Кожемякин

Аппарат серии «СЕМ ТЕСН» разрабатывался с учетом технических решений и резуль­татов предварительных медико-биологических исследований применительно к широкому классу аппаратов и методик в области физио-, рефлексотерапии.

При построении аппарата были проанализированы конструкции аппаратов, разработан­ных в 80—90-е гг. и результаты их клинического применения, а также данные собственных исследований, полученных методами микробиологии, токсикологии и электроакупунктурной диагностики (ЭД).

Аппарат КВЧ-ИК-терапии «СЕМ ТЕСН» объединил в своей конструкции разработки тех­нических и медицинских специалистов, связанные с излучением на фиксированных частотах КВЧ диапазона 42,2 ГГц (7,1 мм), 53,5 ГГц (5,6 мм), 60,7 ГГц (4,9 мм), в режиме шумовой гене­рации в диапазоне 42—78 ГГц и ИК диапазоне. Аппарат работает в импульсном режиме, что обеспечило, с одной стороны, хорошие результаты его клинического применения, связанные с реализацией дробного режима воздействия, а также позволило создать малогабаритное устройство с миниатюрными излучателями.

Применение классической КВЧ терапии основано на наличии в КВЧ диапазоне резонан-сов отдельных систем организма: кровеносной, лимфатической и т. д. Например, исследо­вания спектра резонансных частот гемоглобина крови на установке ядерного магнитного резонанса показали, что на частоте 42,194 ГГц происходит его возбуждение, что увеличи­вает до трех раз способность эритроцитов крови транспортировать кислород, что приводит к ускорению процессов заживления поврежденных тканей, детоксикации организма. Поэ­тому применение данной частоты носит универсальный характер при достаточно широком наборе патологических процессов. Соответственно наибольшая эффективность применения данной методики достигается при облучении областей и зон обширного кровотока: артерий, вен, крупных суставов.

Проведенные нами исследования выявили особый статус КВЧ-диапазона, который за­ключается в повышенной чувствительности организма (всего на порядок выше фонового излучения) на частотах КВЧ диапазона, причем объектом взаимодействия выступают клеточ­ные структуры и их белковые составляющие. Это позволило при специальной конструкции шумового излучателя осуществить методы терапии, связанные с применением сверхслабых излучений КВЧ-диапазона. В настоящее время успешно завершена клиническая апробация шумового излучателя, основанная на реализации основных принципов и построений гомотоксикологии в нашем развитии, а разработанный метод лечения получил название «терапия фоновым резонансным излучением», первые излучатели для данной терапии были разра­ботаны и изготовлены на ООО «Спинор» в 1996 году.

Взаимодействие источника внешнего излучения и биологического объекта носит резо­нансный характер не только по частоте, но и по мощности излучения. При увеличении мощности внешнего излучения от нуля до 10^-16— 10^-19 Вт/см² наблюдается резонансный отклик биологического объекта, причем для относительно слабых процессов (которыми в частнос­ти являются патологические процессы по сравнению с процессами, происходящими в здоро­вой ткани) максимум данной зависимости сдвинут к началу оси ординат. Именно эта особен­ность позволяет проводить угнетение патологического процесса на фоне незначительного возбуждения здоровой ткани. Влияние электромагнитного излучения низкой интенсивности на биологический объект позволяет использовать его для физиотерапевтического лечения значительного числа заболеваний человека и животных, для повышения устойчивости био­логического объекта к негативным внешним факторам и для адаптации к изменению окру­жающих условий.

Действие аппарата основано на особенностях полупроводниковых структур на ос­нове соединений А₃В₅, к которым относятся, например, арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP), и на основе которых разработаны диоды Ганна. Эти особенности выражаются в том, что, во-первых, в этих структурах можно реализовать вольтамперную характеристику с отрицательной дифференциальной проводимостью dl/dU< 0 (напр., М. Е. Левинштейн, Ю. К. Пожела, М. С. Шур. Эффект Ганна. — М., 1975), величина которой превышает величи­ну дифференциальной проводимости р биологического объекта (|dl/dU| > р), и, во-вторых, для этих структур характерно наличие собственных электромагнитных колебаний фонового уровня, характеристики которых определяются дипольно-активными состояниями объема кристалла с дефектами кристаллической структуры и ее границами.

При соблюдении этого условия при наложении на биологический объект (или помеще­нии вблизи) полупроводникового прибора на основе соединений А₃В₅ и при подаче на него напряжения, превышающего пороговое значение U₀, соответствующее на вольтамперной характеристике прибора переходу на участок с отрицательной дифференциальной прово­димостью, происходит формирование генераторного контура с включением в него биологи­ческого объекта, на котором (или вблизи которого) находится полупроводниковый прибор. При этом спектр генерируемого излучения определяется реактивной составляющей импе­данса системы «полупроводниковый прибор — биологический объект» и включает собствен­ные частоты биологических субстанций объекта и патогенного фактора в зоне воздействия и биологического объекта в целом.

Процесс генерации электромагнитного излучения обусловлен образованием электронов с повышенной энергией на катоде полупроводникового прибора на основе соединений А₃В₅. Энергия «горячего» электрона может в в сотни раз превышать энергию электрона зоны про­водимости полупроводника, на который внешнее напряжение не подано. Электроны дрей­фуют по объему полупроводника и поглощаются на аноде прибора. При прохождении через полупроводник электронов, обладающих повышенной энергией, а также в условиях возник­новения переменного электромагнитного поля, связанного с процессом генерации, возмож­ны изменения дипольно-активных состояний полупроводниковой структуры из-за изменения квантовомеханических состояний ее приграничных областей. Эти изменения определяются электромагнитным полем в образце, которое формируется с участием не только объема полу­проводника, но и окружающего пространства, в том числе биологического объекта, входящего в генераторный контур системы «полупроводниковый прибор — биологический объект». Таким образом, происходит формирование устойчивого состояния полупроводниковой структуры с фиксацией электромагнитного излучения биологического объекта.

После отключения полупроводникового прибора от источника питания измененное состояние дипольно-активных компонентов структуры А₃В₅ сохраняется и характеристики собственного излучения структуры не меняются, они стабильны во времени при условии отсутствия какого-либо внешнего воздействия, обладающего энергией, достаточной для их изменения.

При взаимодействии внешнего электромагнитного поля с дипольно-активными состо­яниями объема кристалла, происходит образование поляритонов — связанного состояния колебательного движения заряженных частиц (диполей) с электромагнитным полем. Колебательное состояние кристалла полупроводниковой структуры и, следовательно, спектр поляритонов определяется ее внутренним дипольно-активным состоянием. При воздействии на полупроводниковую структуру внешним электромагнитным излучением посредством поляритонного механизма происходит формирование собственных электромагнитных колеба­ний фонового уровня полупроводниковой структуры, спектр которых был определен изме­нением дипольно-активных компонентов структуры А₃В₅ в режиме генерации и спектром собственных частот биологического объекта, включая патогенный фактор.

В этом случае частотный спектр переотраженного излучения содержит собственные частоты биологических субстанций и биологического объекта в целом. Следовательно, из­менения в состоянии полупроводниковой структуры и характеристики ее собственного излу­чения определяются и спектром собственных частот биологического объекта и патогенного фактора.

Интенсивность излучения мала: плотность мощности составляет не более 10^-20 Вт/см², поэтому при контакте полупроводниковой структуры с биологическим объектом излучение не подавляет биологическую активность здоровых клеток в биологической субстанции, на­ходящихся в состоянии устойчивого равновесия, а подавляет патологические факторы, на­ходящиеся в стадии развития и подверженные слабому внешнему воздействию.

Внешнее воздействие приводит к потере тенденций устойчивого развития патогенных микроорганизмов и патологических процессов и стабилизирует физиологические процессы в субстанциях организма, находящихся в состоянии устойчивого равновесия. Высокая эф­фективность подавления патогенного фактора обусловлена тем, что частота излучения кор­релированна с состоянием биологических субстанций и биологического объекта в момент формирования воздействующего излучения.

Таким образом, наличие в вольтамперной характеристике полупроводникового прибо­ра, содержащего структуру на основе соединения А₃В₅, участка с отрицательной диффе­ренциальной проводимостью, величина которой превышает величину дифференциальной проводимости биологического объекта, и отсутствие в устройстве резонатора (как элемента устройства) позволяет под влиянием внешних электромагнитных факторов сформировать электромагнитное излучение, спектр которого содержит собственные частоты биологичес­ких субстанций биологического объекта и собственные частоты патогенных микроорганиз­мов и патологических процессов.

Данный излучатель позволяет создавать спектральный аналог излучения препаратов, патогенной зоны или точки организма и их комбинаций. После тестирования методом элек­тродиагностики (ЭД) данный аналог может также применяться для лечебного воздействия. В режиме аутотерапии работа излучателя соответствует концепциям МОРА-терапии, с су­щественным расширением (на 6 порядков) ее частотного диапазона. Частотная граница за­писи-воспроизведения спектральной характеристики излучения исходного объекта состав­ляет порядка 100 ГГц, что позволяет проводить лечебное воздействие на уровне белковых структур клетки на основных наиболее чувствительных резонансных частотах, лежащих в КВЧ диапазоне.

Таким образом, технические решения, заложенные в аппаратах серии «СЕМ-ТЕСН», поз­воляют реализовать традиционные классические методики физио-, рефлексотерапии, про­водить лечебные сеансы по зонам соответствия СУ-ДЖОК, а также осуществить на практи­ке методы биорезонансной терапии. Широкий арсенал реализуемых методов позволяет при надлежащей подготовке медицинского персонала провести высокоэффективное лечение широкого класса заболеваний без применения жестких методов воздействия на организм и практически избежать побочных эффектов.

Конструкция аппарата непрерывно совершенствуется с учетом новых клинических раз­работок и появлением новой элементной базы. Устройство аппаратов «CEМ-TECH» и ряд технологий его применения защищены патентами РФ и США.

«СЕМ®-технологиявмедицине»

А. М. Кожемякин, Ю. А. Ткаченко, подобщ.ред. д. м. н., проф. Е. Ф. Левицкого

 Версия для печати